IPP80P03P4L04AKSA2 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 80A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 253µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 137W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3-1
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: IPP80P03