Hersteller: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): -
FET-Funktion: Standard
Verlustleistung (max.): 75W
Betriebstemperatur: -
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-204AE
Verpackung / Koffer: TO-204AE
