Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220F-3FS
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
