RJK0702DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 75 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 90A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 30W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220FP
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack