2SK3814-AZ Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 60A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 84W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-251
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA