UPA620TT-E1-A Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-WSOF
Verpackung / Koffer: 6-SMD, Flat Leads