UPA2717AGR-E1-AT Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PSOP
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.173\ 4.40mm Width)