PJP100P03_T0_00001 Panjit International Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Panjit International Inc.
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15.8A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6067 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 119W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220AB
Verpackung / Koffer: TO-220-3