HAT2201WP-EL-E Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-WPAK
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN