RFD16N05L Harris Corporation Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Harris Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 50 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±10V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 60W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-251AA
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA