2SJ652-RA11 Sanyo Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Sanyo
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 28A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220ML
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Basisproduktnummer: 2SJ652