BS170 NTE Electronics, Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 300mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-92
Verpackung / Koffer: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads