SIR582DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen V
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 80 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® SO-8
Verpackung / Koffer: PowerPAK® SO-8