FS30AS-2-T13#B00 Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 35W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: MP-3A
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63