HAT2054M-EL-E Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.3A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.05W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-TSOP
Verpackung / Koffer: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6