PJQ5426_R2_00001 Panjit International Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Panjit International Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Ta), 115A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DFN5060-8
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN