BSC882N03LSG Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS?? M
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 34 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TDSON-8-6
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN