IRFR121 Harris Corporation Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Harris Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 80 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8.4A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): -
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252-3 (DPAK)
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63