IRFH7921TRPBF-IR International Rectifier Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PQFN (5x6) Single Die
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN