BSP295L6327 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 400µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 368 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT223-4-21
Verpackung / Koffer: TO-261-4, TO-261AA