FDZ3N513ZT Fairchild Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 462mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): +5.5V, -300mV
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 15 V
FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~125°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-WLCSP (1x1)
Verpackung / Koffer: 4-XFBGA, WLCSP