RJK0657DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 45W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-WPAK
Verpackung / Koffer: 8-WFDFN Exposed Pad