RJK0366DSP-00#J0 Renesas Electronics America Inc Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Renesas Electronics America Inc
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)