IRLU3802PBF International Rectifier Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 12 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 84A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 6 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 88W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: I-PAK
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA