BUZ30A H3045A Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: SIPMOS®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 125W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO263-3-2
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB