IRF7665S2TRPBF International Rectifier Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: International Rectifier
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DirectFET??Isometric SB
Verpackung / Koffer: DirectFET??Isometric SB