IRF7470PBF International Rectifier Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: International Rectifier
Serie: HEXFET®
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SO
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)