RM12N100LD Rectron USA Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rectron USA
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 34.7W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-252-2
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63