RM1A4N150S6 Rectron USA Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rectron USA
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.56W (Tc)
Betriebstemperatur: -50°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-6
Verpackung / Koffer: SOT-23-6