IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??P7
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 700 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 158 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 22.7W (Tc)
Betriebstemperatur: -40°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO251-3
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basisproduktnummer: IPS70R1