RM4P20ES6 Rectron USA Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rectron USA
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.7W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-6
Verpackung / Koffer: SOT-23-6