PH6530AL115 NXP USA Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: NXP USA Inc.
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LFPAK56, Power-SO8
Verpackung / Koffer: SC-100, SOT-669