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CPH6311-TL-E onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
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Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-CPH
Verpackung / Koffer: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
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    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}