SCTWA35N65G2V STMicroelectronics Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 20 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 208W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247 Long Leads
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: SCTWA35