SIS888DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: ThunderFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 52W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TA)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8S
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8S
Basisproduktnummer: SIS888