BSD314SPE L6327 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??P 3
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 6.3µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 500mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-SOT363-6-6
Verpackung / Koffer: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363