RMA7N20ED1 Rectron USA Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Rectron USA
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 700mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 550mW (Ta)
Betriebstemperatur: -50°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DFN1006-3
Verpackung / Koffer: SC-101, SOT-883