GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: -
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 300 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): -
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 20W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~225°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-46
Verpackung / Koffer: TO-46-3
Basisproduktnummer: GA05JT03