TK1K0A60F,S4X Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 770µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 300 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220SIS
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Basisproduktnummer: TK1K0A60