FQU2N90TU-WS onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: QFET®
Paket: Tube
Produktstatus: Last Time Buy
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 900 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: I-PAK
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basisproduktnummer: FQU2N90