SQM60030E_GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 80 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 375W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D²PAK (TO-263)
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basisproduktnummer: SQM60030