ISC007N04NM6ATMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??6
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 48A (Ta), 381A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.05mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3W (Ta), 188W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TDSON-8 FL
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer: ISC007N