Menü

IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

{{ product.price_format }}
{{ product.origin_price_format }}
Lager:
Model: {{ product.model }}

{{ variable.name }}

{{ value.name }}
Angebot anfordern

Beschreibung Ihrer Anforderungen

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolMOS??7
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 490µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 167W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-HSOF-8-2
Verpackung / Koffer: 8-PowerSFN
Basisproduktnummer: IPT60R065

Datasheet

Abbrechen Senden
Bewertung veröffentlichen
Erste Bewertung veröffentlichen
  • {{ item.user_name }}
    {{ item.content }}
    Loading...
    {{ item.created_at }} {{ item.order_product_name }}