GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: -
Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 282W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-263-7
Verpackung / Koffer: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basisproduktnummer: GA20JT12