TK040Z65Z,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: DTMOSVI
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 57A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.85mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 300 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 360W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L(T)
Verpackung / Koffer: TO-247-4
Basisproduktnummer: TK040Z65