G2014 Goford Semiconductor Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-DFN (2x2)
Verpackung / Koffer: 6-WDFN Exposed Pad