PSMN012-100YS,115 Nexperia USA Inc. Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 130W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LFPAK56, Power-SO8
Verpackung / Koffer: SC-100, SOT-669
Basisproduktnummer: PSMN012