NTMYS8D0N04CTWG onsemi Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: LFPAK4 (5x6)
Verpackung / Koffer: SOT-1023, 4-LFPAK
Basisproduktnummer: NTMYS8