XPN12006NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: Automotive, AEC-Q101
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 0.2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.): 65W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-TSON Advance-WF (3.1x3.1)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: XPN12006