SISS61DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistoren - FETs MOSFETs - Einzeln

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen III
Paket: Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30.9A (Ta), 111.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 231 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8740 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 5W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C~150°C(TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 1212-8S
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 1212-8S
Basisproduktnummer: SISS61